本月15日，資料最早美國(guó)商務(wù)部最終敲定了臺(tái)積電（TSMC）在亞利桑那州新建Fab 21項(xiàng)目的顯示款項(xiàng)，授予高達(dá)66億美元的臺(tái)積投產(chǎn)直接撥款，以支持整個(gè)園區(qū)大概650億美元的電美建設(shè)支出，其中將興建三間晶圓廠。國(guó)工工藝整個(gè)項(xiàng)目將創(chuàng)造6000多個(gè)直接制造工作崗位，引入于年以及超過(guò)20000個(gè)累計(jì)的資料最早建筑工作崗位。

據(jù)報(bào)道，顯示臺(tái)積電向美國(guó)商務(wù)部提交的臺(tái)積投產(chǎn)信息顯示，最早于2028年在美國(guó)開(kāi)始生產(chǎn)2nm芯片。電美根據(jù)Fab 21項(xiàng)目制程工藝路線安排，國(guó)工工藝將引入A16和N2系列（N2、引入于年N2P和N2X）工藝，資料最早均屬于2nm制程節(jié)點(diǎn)，顯示量產(chǎn)啟動(dòng)時(shí)間比起中國(guó)臺(tái)灣的臺(tái)積投產(chǎn)晶圓廠要晚大概三年。

Fab 21一期工程初期投入120億美元，選擇了4/5nm工藝的生產(chǎn)線，已進(jìn)行了試產(chǎn)，計(jì)劃在2025年上半年投產(chǎn);二期工程原計(jì)劃選擇3nm工藝的生產(chǎn)線，現(xiàn)在將推進(jìn)至2nm工藝，預(yù)計(jì)在2028年投產(chǎn)，前兩期工程加起來(lái)的總產(chǎn)能為每月5萬(wàn)片晶圓;新增三期工程將采用2nm或更先進(jìn)的制程技術(shù)，預(yù)計(jì)2030年之前投產(chǎn)。

臺(tái)積電在2nm制程節(jié)點(diǎn)將引入GAA晶體管架構(gòu)，有望顯著降低功耗，提高性能和晶體管密度，帶來(lái)質(zhì)的改變。按照臺(tái)積電之前的說(shuō)法，臺(tái)積電只有在大規(guī)模量產(chǎn)后，才會(huì)考慮遷移到下一個(gè)制程節(jié)點(diǎn)，而且新一代半導(dǎo)體工藝的研究會(huì)在中國(guó)臺(tái)灣展開(kāi)，以保持半導(dǎo)體技術(shù)上的領(lǐng)先地位。